Аспирантура ИНЭИ РАН (открыта с 1985 года)
В Аспирантуре ИНЭИ РАН осуществляется подготовка научно-педагогических работников по 3 направлениям (лицензия Федеральной службы по надзору в сфере образования и науки № 002841 от 17.04.2012 г., Приложение серия: 90П01, № 0023268 от 07.05.2015г., изменения от 2022 года) :
С 2022 ГОДА
* 1.2.2 – Математическое моделирование, численные методы и комплексы
* 2.4.1 – Теоретическая и прикладная электротехника
* 2.4.2 – Электротехнические комплексы и системы
* 2.4.3 – Электроэнергетика
* 2.4.5 – Энергетические системы и комплексы
* 5.2.2 – Математические, статистические и инструментальные методы в экономике
* 5.2.3 – Региональная и отраслевая экономика
* 5.2.5 – Мировая экономика
Форма обучения – очная, на договорной основе
Срок обучения в аспирантуре – 4 года, возможен индивидуальный план подготовки
ДО 2022 ГОДА
* 02.06.01 – Компьютерные и информационные науки (направленность 05.13.18 – математическое моделирование, численные методы и комплексы программ);
* 13.06.01 – Электро- и теплотехника (направленность 05.14.01 – энергетические системы и комплексы);
* 38.06.01 – Экономика (направленность 08.00.05 – экономика и управление народным хозяйством (по отраслям и сферам деятельности)).
Форма обучения – заочная.
Срок обучения в аспирантуре – 4 года, возможен индивидуальный план подготовки.
В аспирантуру ИНЭИ РАН на конкурсной основе принимаются граждане Российской Федерации, имеющие высшее образование (специалитет или магистратура) и индивидуальные достижения в научной работе.
Поступившие в аспирантуру общежитием не обеспечиваются.
Условия поступления, состав подаваемых документов, перечень вступительных испытаний регламентируются Правилами приема в Аспирантуру ИНЭИ РАН.
Правила приема в Аспирантуру ИНЭИ РАН на обучение на 2022/2023 учебный год:
Прием документов, необходимых для поступления, осуществляется с 1 по 20 октября 2022 года.
Документы можно подать: лично (г. Москва, ул. Нагорная, д.31, к.2, 2 этаж, комн. 36 или 34), предварительно созвонившись по телефонам: (499)123-98-78, (499)123-71-02, или прислать по электронной почте ntv@eriras.ru, lukatskii.a.m.math@mail.ru
Перечень необходимых документов для поступления в аспирантуру:
1. Диплом о высшем образовании с приложением;
2. Паспорт;
3. Фото (3х4) - 2 шт.;
4. Личное заявление;
5. Копия трудовой книжки*;
6. Список научных статей*;
7. Документы, подтверждающие индивидуальные достижения поступающего, результаты которых учитываются при приеме на обучение*;
8. Рекомендация в аспирантуру*;
9. Удостоверение о сдаче кандидатских экзаменов;*
10. Заявление о согласии на зачисление.
* При наличии указанных документов
При подаче документов через электронно-информационную среду предоставляются электронные образы (сканы или фотографии) заполненных документов.
Паспорт и диплом (оригиналы) поступающие в аспирантуру обязуются предъявить лично до момента зачисления в аспирантуру.
За подробной информацией обращаться к заведующему Отделом аспирантуры ИНЭИ РАН д.ф.-м.н. Лукацкому Александру Михайловичу раб. тел. (499)123-71-02, e-mail: lukatskii.a.m.math@mail.ru или ученому секретарю ИНЭИ РАН к.э.н. Новиковой Татьяне Владимировне раб. тел. (499)123-98-78, e-mail: ntv@eriras.ru
Вступительные экзамены проходят с 1 по 31 октября 2022 года в устной форме на русском языке очно или дистанционно в зависимости от ситуации, связанной с распространением новой коронавирусной инфекции (COVID-19) на территории Российской Федерации.
Вступительные экзамены проводятся по двум дисциплинам: иностранному языку и специальной дисциплине.
Вступительные испытания по иностранному языку осуществляются на Кафедре Иностранных языков РАН (Москва, Нахимовский проспект, 3). Порядок и сроки сдачи вступительных испытаний регламентируется внутренними нормативными актами Кафедры Иностранных языков.
Программы вступительных испытаний по специальным дисциплинам по каждому научному направлению разработаны ИНЭИ РАН в соответствии с Федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования (уровень подготовки кадров высшей квалификации):
* Программа вступительного испытания по специальной дисциплине 02.06.01;
* Программа вступительного испытания по специальной дисциплине 38.06.01;
* Программа вступительного испытания по специальной дисциплине 13.06.01;
По результатам вступительных испытаний Приемная комиссия принимает решение по каждому претенденту, обеспечивая зачисление в Аспирантуру ИНЭИ РАН наиболее подготовленных к научной работе. Решение о приеме или отказе в приеме в Аспирантуру ИНЭИ РАН сообщается поступающему в пятидневный срок после решения Приемной комиссии, но не позднее, чем за две недели до начала занятий.
При приеме в Аспирантуру ИНЭИ РАН определяется суммарная величина конкурсных баллов, представляющая собой сумму баллов за каждое вступительное испытание, а также баллы за индивидуальные достижения поступающего. Минимальное количество конкурсных баллов, подтверждающее успешное прохождение вступительного испытания в Аспирантуру ИНЭИ РАН, устанавливается на уровне 10 баллов.
Начало занятий в Аспирантуре ИНЭИ РАН – 01 ноября 2022 года.
ДО 2022 ГОДА
Срок обучения в заочной аспирантуре для направлений 02.06.01, 38.06.01 – 4 года, 13.06.01 – 5 лет. Возможно составление индивидуального плана обучения.
Приказ о зачислении в аспирантуру от 21 октября 2021 года
Решение приемной комиссии А.В. Шигина
Решение приемной комиссии С.В. Шавловский
Решение приемной комиссии А.В. Команденко
Решение приемной комиссии Р.О. Аликин
РАЗМЕР СТИПЕНДИИ С 1 СЕНТЯБРЯ 2018 ГОДА
НАЗНАЧЕНИЕ НАУЧНЫХ РЕЦЕНЗЕНТОВ от 26 НОЯБРЯ 2018 года
РЕШЕНИЕ ПРИЕМНОЙ КОМИССИИ 2018
ПРИКАЗ О ЗАЧИСЛЕНИИ В АСПИРАНТУРУ 2018
РЕШЕНИЕ ПРИЕМНОЙ КОМИССИИ 2017
ПРИКАЗ О ЗАЧИСЛЕНИИ В АСПИРАНТУРУ 2017
ПОЛОЖЕНИЕ ОБ ЭКЗАМЕНАЦИОННОЙ КОМИССИИ
ПОЛОЖЕНИЕ О ПРИЕМНОЙ КОМИССИИ
ПОЛОЖЕНИЕ ОБ АПЕЛЛЯЦИОННОЙ КОМИССИИ
ПОЛОЖЕНИЕ ОБ АСПИРАНТУРЕ
ПОРЯДОК ОТЧИСЛЕНИЯ И ВОССТАНОВЛЕНИЯ В АСПИРАНТУРЕ
ПОЛОЖЕНИЕ ОБ ИТОГОВОЙ АТТЕСТАЦИИ
Наш адрес: г. Москва, 117186, ул. Нагорная, д. 31, к.2, комн. 36, 34. Справки по телефону: (499) 123-98-78, (499) 123-71-02 E-mail:ntv@eriras.ru; lukatskii.a.m.math@mail.ru
Научно-квалификационные работы
Научно-квалификационная работа Д.А. Сигиневича